CSD85312Q3E
Número de pieza:
CSD85312Q3E
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Texas Instruments
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- Potencia - Máx 2.5W
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.4V @ 250µA
- Configuración 2 N-Channel (Dual) Common Source
- Paquete / Carcasa 8-PowerVDFN
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 39A
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-VSON (3.3x3.3)
- FET Característica Logic Level Gate, 5V Drive
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 12.4mOhm @ 10A, 8V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 15.2nC @ 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2390pF @ 10V