CSD86311W1723
Número de pieza:
CSD86311W1723
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Texas Instruments
Descripción:
MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- FET Característica Logic Level Gate
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.4V @ 250µA
- Potencia - Máx 1.5W
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 4.5A
- Paquete / Carcasa 12-UFBGA, DSBGA
- Proveedor Dispositivo Paquete 12-DSBGA
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 25V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 4nC @ 4.5V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 39mOhm @ 2A, 8V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 585pF @ 12.5V