CSD86336Q3DT
Número de pieza:
CSD86336Q3DT
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Texas Instruments
Descripción:
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8VSON
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Temperatura de Operación -55°C ~ 125°C
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 20A (Ta)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 25V
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Configuración 2 N-Channel (Half Bridge)
- Potencia - Máx 6W
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-VSON (3.3x3.3)
- FET Característica Logic Level Gate, 5V Drive
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V