CSD86360Q5D
Número de pieza:
CSD86360Q5D
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Texas Instruments
Descripción:
MOSFET 2N-CH 25V 50A 8LSON
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- FET Característica Logic Level Gate
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs -
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.1V @ 250µA
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 25V
- Configuración 2 N-Channel (Half Bridge)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 50A
- Potencia - Máx 13W
- Paquete / Carcasa 8-PowerLDFN
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-LSON (5x6)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 12.6nC @ 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2060pF @ 12.5