DF17MR12W1M1HFB86BPSA1
Número de pieza:
DF17MR12W1M1HFB86BPSA1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
EASY STANDARD
Embalaje:
Tray
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete -
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa Module
- Potencia - Máx -
- Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 50A (Tj)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 24mOhm @ 50A, 18V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5.15V @ 20mA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 4400pF @ 800V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 74nC @ 18V
- Configuración 3 N-Channel