DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
Número de pieza:
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET 4N-CH 2000V 50A AG-EASY3B
Embalaje:
Tray
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Paquete / Carcasa Module
- Potencia - Máx -
- Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
- Configuración 4 N-Channel
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 50A (Tj)
- Proveedor Dispositivo Paquete AG-EASY3B
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 2000V (2kV)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 26.5mOhm @ 60A, 18V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5.15V @ 34mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 234nC @ 18V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 7240pF @ 1.2kV