DI006H03SQ
Número de pieza:
DI006H03SQ
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Diotec Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A 8SO
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SO
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2V @ 250µA
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Configuración 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
- Potencia - Máx 1.5W (Ta)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 6A (Ta), 4.2A (Ta)