DI200N10D2

DI200N10D2

Número de pieza: DI200N10D2
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: Diotec Semiconductor
Descripción: MOSFET D2PAK N 100V 200A
Embalaje: Bulk
Estado de ROHS:
Moneda: -

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tipo de FET N-Channel
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 250µA
  • Vgs (Máx.) ±20V
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Grado -
  • Calificación -
  • Paquete / Carcasa TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 200A (Tc)
  • Proveedor Dispositivo Paquete TO-263AB (D2PAK)
  • Disipación de Potencia (Máx.) 340W (Tc)
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 262 nC @ 10 V
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 120A, 10V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 16800 pF @ 50 V