DI2A2N100D1K
Número de pieza:
DI2A2N100D1K
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Diotec Semiconductor
Descripción:
MOSFET, DPAK, N-CH, 1000V, 2.2A
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 250µA
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Paquete / Carcasa TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 25 nC @ 10 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 2.2A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1000 V
- Vgs (Máx.) ±25V
- Disipación de Potencia (Máx.) 30W (Tc)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 510 pF @ 25 V
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-252 (DPAK)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 6.8Ohm @ 1.5A, 10V