DI4A7P06SQ2
Número de pieza:
DI4A7P06SQ2
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Diotec Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2P-CH 60V 4.7A 8SO
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SO
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- FET Característica Logic Level Gate
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
- Configuración 2 P-Channel (Dual)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 4.7A (Ta)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.3V @ 250µA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 75mOhm @ 5A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 8.5nC @ 10V
- Potencia - Máx 3W (Ta)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 525pF @ 30V