DIW065SIC080
Número de pieza:
DIW065SIC080
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Diotec Semiconductor
Descripción:
SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 36A, 6
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa TO-247-3
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 36A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 175W (Tc)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 75 nC @ 20 V
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 5mA
- Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 18V
- Vgs (Máx.) +18V, -5V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 80mOhm @ 15A, 18V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1480 pF @ 600 V