DIW120SIC022-AQ
Número de pieza:
DIW120SIC022-AQ
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Diotec Semiconductor
Descripción:
SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 120A,
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Paquete / Carcasa TO-247-3
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 120A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 340W (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 18V
- Vgs (Máx.) +18V, -4V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 23.5mA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 22.3mOhm @ 75A, 18V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 269 nC @ 18 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 4817 pF @ 1000 V