DMG1016UDWQ-7
Número de pieza:
DMG1016UDWQ-7
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V 1.066A SOT363
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Estado de la Pieza Not For New Designs
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 250µA
- Paquete / Carcasa 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Proveedor Dispositivo Paquete SOT-363
- Configuración N and P-Channel Complementary
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
- Potencia - Máx 330mW (Ta)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 1.066A (Ta), 845mA (Ta)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 60.67pF @ 10V, 59.76pF @ 16V