DMG4511SK4-13
Número de pieza:
DMG4511SK4-13
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 250µA
- FET Característica Logic Level Gate
- Paquete / Carcasa TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 35V
- Configuración N and P-Channel, Common Drain
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-252-4L
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 5.3A, 5A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 35mOhm @ 8A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 18.7nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 850pF @ 25V
- Potencia - Máx 1.54W