DMG6601LVT-7
Número de pieza:
DMG6601LVT-7
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.5V @ 250µA
- Configuración N and P-Channel
- FET Característica Logic Level Gate
- Paquete / Carcasa SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Potencia - Máx 850mW
- Proveedor Dispositivo Paquete TSOT-26
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 3.8A, 2.5A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 55mOhm @ 3.4A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 12.3nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 422pF @ 15V