DMHC6070LSD-13
Número de pieza:
DMHC6070LSD-13
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET 2N/2P-CH 60V 3.1A 8SO
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SO
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 250µA
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 11.5nC @ 10V
- Potencia - Máx 1.6W
- Configuración 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1A, 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 3.1A, 2.4A
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 731pF @ 20V, 618pF @ 20V