DMHT10H032LFJ-13
Número de pieza:
DMHT10H032LFJ-13
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET 4N-CH 100V 6A 12VDFN
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Potencia - Máx 900mW
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 6A (Ta)
- Configuración 4 N-Channel (Full Bridge)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V
- Paquete / Carcasa 12-PowerVDFN
- Proveedor Dispositivo Paquete V-DFN5045-12 (Type C)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 33mOhm @ 6A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 11.9nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 683pF @ 50V