DMN1005UFDF-7
Número de pieza:
DMN1005UFDF-7
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 250µA
- Vgs (Máx.) ±8V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 2.5V, 4.5V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 12 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 800mW (Ta)
- Paquete / Carcasa 6-UDFN Exposed Pad
- Proveedor Dispositivo Paquete U-DFN2020-6
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 14.1A (Ta)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 6mOhm @ 4A, 4.5V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 29.7 nC @ 4.5 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2014 pF @ 6 V