DMN10H220LPDW-13
Número de pieza:
DMN10H220LPDW-13
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET 2N-CH 100V 8A PWRDI50
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 8A (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Tipo de Montaje Surface Mount, Wettable Flank
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 6.7nC @ 10V
- Potencia - Máx 2.2W (Ta)
- Proveedor Dispositivo Paquete PowerDI5060-8 (Type R)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 222mOhm @ 2A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 384pF @ 25V