DMN10H6D2LFDB-13

DMN10H6D2LFDB-13

Número de pieza: DMN10H6D2LFDB-13
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET 2N-CH 100V 0.27A 6UDFN
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 270mA (Ta)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2V @ 1mA
  • Configuración 2 N-Channel (Dual)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V
  • Paquete / Carcasa 6-UDFN Exposed Pad
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 6Ohm @ 190mA, 10V
  • Proveedor Dispositivo Paquete U-DFN2020-6 (Type B)
  • Potencia - Máx 700mW (Ta)
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 1.2nC @ 10V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 41pF @ 50V