DMN2008LFU-7
Número de pieza:
DMN2008LFU-7
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- Potencia - Máx 1W
- Configuración 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- Paquete / Carcasa 6-UFDFN Exposed Pad
- Proveedor Dispositivo Paquete U-DFN2030-6 (Type B)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 14.5A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.5V @ 250A
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 42.3nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1418pF @ 10V