DMN2009UCA4-7

DMN2009UCA4-7

Número de pieza: DMN2009UCA4-7
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET 20V 10.3A X4-DSN1717
Embalaje: Bulk
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Configuración -
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
  • Potencia - Máx 900mW
  • Paquete / Carcasa 4-XFBGA, DSBGA
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 10.3A (Ta)
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 11.9mOhm @ 2.5A, 4.5V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.4V @ 640µA
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 17.5nC @ 4V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1780pF @ 10V
  • Proveedor Dispositivo Paquete X4-DSN1717-4