DMN2014LHAB-13

DMN2014LHAB-13

Número de pieza: DMN2014LHAB-13
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
  • Configuración 2 N-Channel (Dual)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 9A (Ta)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.1V @ 250µA
  • Paquete / Carcasa 6-UFDFN Exposed Pad
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 16nC @ 4.5V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1550pF @ 10V
  • Proveedor Dispositivo Paquete U-DFN2030-6 (Type B)
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 13mOhm @ 4A, 4.5V
  • Potencia - Máx 800mW (Ta)