DMN2016UFX-7

DMN2016UFX-7

Número de pieza: DMN2016UFX-7
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET 2N-CH 24V 9.9A 4VDFN
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.5V @ 250µA
  • Configuración 2 N-Channel (Dual)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 24V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 14nC @ 4.5V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 950pF @ 10V
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 9.9A (Ta)
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 15mOhm @ 6.5A, 4.5V
  • Paquete / Carcasa 4-VFDFN Exposed Pad
  • Proveedor Dispositivo Paquete V-DFN2050-4
  • Potencia - Máx 1.07W (Ta)