DMN2022UNS-7
Número de pieza:
DMN2022UNS-7
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 250µA
- Potencia - Máx 1.2W
- Paquete / Carcasa 8-PowerVDFN
- Configuración 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 10.7A (Ta)
- Proveedor Dispositivo Paquete PowerDI3333-8 (Type UXB)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 10.8mOhm @ 4A, 4.5V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 20.3nC @ 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1870pF @ 10V