DMN3012LEG-7
Número de pieza:
DMN3012LEG-7
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Paquete / Carcasa 8-PowerLDFN
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
- Proveedor Dispositivo Paquete PowerDI3333-8 (Type D)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 10A (Ta), 20A (Tc)
- Potencia - Máx 2.2W (Tc)