DMN3016LDN-13
Número de pieza:
DMN3016LDN-13
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET 2N-CH 9.2A 8VDFN
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2V @ 250µA
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Paquete / Carcasa 8-PowerVDFN
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 20mOhm @ 11A, 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 9.2A (Ta)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1415pF @ 15V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 11.3nC @ 4.5V
- Proveedor Dispositivo Paquete V-DFN3030-8 (Type J)