DMN3032LFDBWQ-13

DMN3032LFDBWQ-13

Número de pieza: DMN3032LFDBWQ-13
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 6UDFN
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Grado Automotive
  • Calificación AEC-Q101
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2V @ 250µA
  • Configuración 2 N-Channel (Dual)
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5.8A, 10V
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 5.5A (Ta)
  • Paquete / Carcasa 6-UDFN Exposed Pad
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 500pF @ 15V
  • Potencia - Máx 820mW
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 10.6nC @ 10V
  • Proveedor Dispositivo Paquete U-DFN2020-6 (SWP) Type B