DMN3066LVTQ-7
Número de pieza:
DMN3066LVTQ-7
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.5V @ 250µA
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30 V
- Vgs (Máx.) ±12V
- Paquete / Carcasa SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 2.5V, 4.5V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 3.6A (Ta)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 4 nC @ 4.5 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 67mOhm @ 2.5A, 4.5V
- Proveedor Dispositivo Paquete TSOT-26
- Disipación de Potencia (Máx.) 900mW
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 328 pF @ 10 V