DMN33D8LVQ-13

DMN33D8LVQ-13

Número de pieza: DMN33D8LVQ-13
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Grado Automotive
  • Calificación AEC-Q101
  • Configuración 2 N-Channel (Dual)
  • FET Característica Logic Level Gate
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 350mA (Ta)
  • Paquete / Carcasa SOT-563, SOT-666
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.5V @ 100µA
  • Proveedor Dispositivo Paquete SOT-563
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 250mA, 10V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 1.23nC @ 10V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 48pF @ 5V
  • Potencia - Máx 430mW (Ta)