DMN39M1LFVWQ-7
Número de pieza:
DMN39M1LFVWQ-7
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Disipación de Potencia (Máx.) 1.3W (Ta)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30 V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 40 nC @ 10 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 87A (Tc)
- Paquete / Carcasa 8-PowerVDFN
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 5mOhm @ 30A, 10V
- Tipo de Montaje Surface Mount, Wettable Flank
- Proveedor Dispositivo Paquete PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2387 pF @ 15 V