DMN61D8LVT-13
Número de pieza:
DMN61D8LVT-13
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2V @ 1mA
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- FET Característica Logic Level Gate
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
- Paquete / Carcasa SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 630mA
- Proveedor Dispositivo Paquete TSOT-26
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 150mA, 5V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 0.74nC @ 5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 12.9pF @ 12V
- Potencia - Máx 820mW