DMN62D1SFBWQ-7B
Número de pieza:
DMN62D1SFBWQ-7B
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
2N7002 FAMILY X2-DFN1006-3 T&R
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 500mW (Ta)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 1.4 nC @ 10 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.3V @ 250µA
- Paquete / Carcasa 3-UFDFN
- Tipo de Montaje Surface Mount, Wettable Flank
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 40mA, 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 538mA (Ta)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 43 pF @ 40 V
- Proveedor Dispositivo Paquete U-DFN1006-3/SWP (Type UX)