DMN63D1LVQ-7
Número de pieza:
DMN63D1LVQ-7
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 0.477A SOT563
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 1mA
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 2Ohm @ 500mA, 10V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
- Paquete / Carcasa SOT-563, SOT-666
- Proveedor Dispositivo Paquete SOT-563
- Potencia - Máx 450mW (Ta)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 1.04nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 41pF @ 30V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 477mA (Ta)