DMP2016UFDE-7
Número de pieza:
DMP2016UFDE-7
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
IC
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de FET P-Channel
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20 V
- Vgs (Máx.) ±8V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 9.5A (Ta)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 1.8V, 4.5V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.1V @ 250µA
- Disipación de Potencia (Máx.) 900mW (Ta)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 30 nC @ 8 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1710 pF @ 15 V
- Paquete / Carcasa 6-PowerUDFN
- Proveedor Dispositivo Paquete U-DFN2020-6 (Type E)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 15mOhm @ 7A, 4.5V