DMT3009UDT-7

DMT3009UDT-7

Número de pieza: DMT3009UDT-7
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 10.6A 8VDFN
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Grado -
  • Calificación -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Configuración 2 N-Channel (Dual)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
  • Paquete / Carcasa 8-VDFN Exposed Pad
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.8V @ 250µA
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 14.6nC @ 10V
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 11.1mOhm @ 11A, 10V
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 10.6A (Ta), 30A (Tc)
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 894pF @ 15V
  • Potencia - Máx 1.1W (Ta), 16W (Tc)
  • Proveedor Dispositivo Paquete V-DFN3030-8 (Type KS)