DMT35M4LPSW-13
Número de pieza:
DMT35M4LPSW-13
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 16 nC @ 10 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 1.5W (Ta)
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 20A, 10V
- Tipo de Montaje Surface Mount, Wettable Flank
- Proveedor Dispositivo Paquete PowerDI5060-8 (Type UX)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 18.9A (Ta), 71.1A (Tc)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1029 pF @ 15 V