DMT35M8LDG-7
Número de pieza:
DMT35M8LDG-7
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRDI3333
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.9V @ 250µA
- Configuración 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- Paquete / Carcasa 8-PowerVDFN
- Proveedor Dispositivo Paquete PowerDI3333-8 (Type G)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 17A (Ta), 15.3A (Ta)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 20A, 10V, 5.8mOhm @ 18A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 22.7nC @ 10V, 16.3nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1510pF @ 15V, 1032pF @ 15V
- Potencia - Máx 980mW (Ta), 2W (Tc)