DMT6018LDR-13
Número de pieza:
DMT6018LDR-13
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 8.8A 8VDFN
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 250µA
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 8.8A (Ta)
- Paquete / Carcasa 8-PowerVDFN
- Potencia - Máx 1.9W
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 13.9nC @ 10V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 17mOhm @ 8.2A, 10V
- Proveedor Dispositivo Paquete V-DFN3030-8
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 869pF @ 30V