DMTH10H017LPDQ-13

DMTH10H017LPDQ-13

Número de pieza: DMTH10H017LPDQ-13
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET 2N-CH 100V 13A PWRDI50
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Grado Automotive
  • Calificación AEC-Q101
  • Configuración 2 N-Channel (Dual)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 250µA
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V
  • Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 17.4mOhm @ 17A, 10V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 28.6nC @ 10V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1986pF @ 50V
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 13A (Ta), 59A (Tc)
  • Potencia - Máx 1.5W (Ta), 93W (Tc)
  • Proveedor Dispositivo Paquete PowerDI5060-8 (Type E)