DMTH10H032LPDWQ-13
Número de pieza:
DMTH10H032LPDWQ-13
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET 2N-CH 100V 24A PWRDI50
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 24A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 32mOhm @ 5A, 10V
- Potencia - Máx 3W (Ta), 37W (Tc)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 11.9nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 683pF @ 50V
- Proveedor Dispositivo Paquete PowerDI5060-8 (Type UXD)