DMTH6010LPDWQ-13

DMTH6010LPDWQ-13

Número de pieza: DMTH6010LPDWQ-13
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Grado Automotive
  • Calificación AEC-Q101
  • Configuración 2 N-Channel (Dual)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 250µA
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 11mOhm @ 20A, 10V
  • Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 40.2nC @ 10V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2615pF @ 30V
  • Proveedor Dispositivo Paquete PowerDI5060-8 (Type UXD)
  • Potencia - Máx 2.8W (Ta), 37.5W (Tc)