DMTH6015LPDWQ-13
Número de pieza:
DMTH6015LPDWQ-13
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 9.4A PWRDI50
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 20mOhm @ 10A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 14.3nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 825pF @ 30V
- Proveedor Dispositivo Paquete PowerDI5060-8 (Type UXD)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 9.4A (Ta), 36.3A (Tc)
- Potencia - Máx 2.6W (Ta), 39.5W (Tc)