DMTH8030LFDFW-13

DMTH8030LFDFW-13

Número de pieza: DMTH8030LFDFW-13
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: IC
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de FET N-Channel
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Vgs (Máx.) ±20V
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Grado -
  • Calificación -
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 6.5A (Ta)
  • Disipación de Potencia (Máx.) 1.5W (Ta)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 80 V
  • Paquete / Carcasa 6-UDFN Exposed Pad
  • Tipo de Montaje Surface Mount, Wettable Flank
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 10.4 nC @ 10 V
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 25mOhm @ 5A, 10V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 641 pF @ 25 V
  • Proveedor Dispositivo Paquete U-DFN2020-6 (SWP) (Type UXG)