DMTH8030LFDFW-7
Número de pieza:
DMTH8030LFDFW-7
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
IC
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 6.5A (Ta)
- Disipación de Potencia (Máx.) 1.5W (Ta)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 80 V
- Paquete / Carcasa 6-UDFN Exposed Pad
- Tipo de Montaje Surface Mount, Wettable Flank
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 10.4 nC @ 10 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 25mOhm @ 5A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 641 pF @ 25 V
- Proveedor Dispositivo Paquete U-DFN2020-6 (SWP) (Type UXG)