DMWSH120H28SM3Q
Número de pieza:
DMWSH120H28SM3Q
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
SICFET N-CH 1200V TO-247
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Paquete / Carcasa TO-247-3
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 15V
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Disipación de Potencia (Máx.) 405W (Tc)
- Vgs (Máx.) +19V, -8V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.6V @ 17.7mA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 28.5mOhm @ 50A, 15V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 97.4A (Tc)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 175 nC @ 15 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3905 pF @ 1000 V