E3M0075120J2-TR
Número de pieza:
E3M0075120J2-TR
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Wolfspeed, Inc.
Descripción:
75m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Paquete / Carcasa TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-263-7
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 34A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 172W (Tc)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 15V
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Vgs (Máx.) +19V, -8V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 52 nC @ 15 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 97.5mOhm @ 17.9A, 15V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1480 pF @ 1000 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.8V @ 5mA