ECH8690-TL-H

ECH8690-TL-H

Número de pieza: ECH8690-TL-H
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: onsemi
Descripción: MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8ECH
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id -
  • Temperatura de Operación 150°C (TJ)
  • Configuración N and P-Channel
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
  • Potencia - Máx 1.5W
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 55mOhm @ 2A, 10V
  • Paquete / Carcasa 8-SMD, Flat Leads
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 18nC @ 10V
  • Proveedor Dispositivo Paquete 8-ECH
  • FET Característica Logic Level Gate, 4V Drive
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 4.7A, 3.5A
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 955pF @ 20V, 790pF @ 20V