EFC6601R-TR
Número de pieza:
EFC6601R-TR
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
onsemi
Descripción:
MOSFET 2N-CH EFCP2718
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id -
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Potencia - Máx 2W
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C -
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds -
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs -
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) -
- FET Característica Logic Level Gate, 2.5V Drive
- Paquete / Carcasa 6-XFBGA, FCBGA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 48nC @ 4.5V
- Proveedor Dispositivo Paquete EFCP2718-6CE-020