EFC6605R-V-TR
Número de pieza:
EFC6605R-V-TR
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
onsemi
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6EFCP
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación 150°C
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 10A (Ta)
- Paquete / Carcasa 6-SMD, No Lead
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds -
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.3V @ 1mA
- FET Característica Logic Level Gate, 2.5V Drive
- Proveedor Dispositivo Paquete 6-EFCP (1.9x1.46)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 19.8nC @ 4.5V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 13.3mOhm @ 3A, 4.5V
- Potencia - Máx 1.6W (Ta)